愛(ài)普生的有源晶體EMI需注意事項(xiàng)X1G005591008000，隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展的需求，各大應(yīng)用程序開(kāi)始廣泛使用于有源晶振，也是因?yàn)槠渚邆鋬?yōu)良的性能，以及高精密化，獲得眾多應(yīng)用程序的青睞，同時(shí)也為這些應(yīng)用程序帶來(lái)極佳的體驗(yàn)，使得產(chǎn)品耐壓性能更加優(yōu)越，應(yīng)用領(lǐng)域包含航空航天，通信設(shè)備，電子產(chǎn)品等，也許我們都知道有源晶振不需要MCU的內(nèi)部振蕩器，信號(hào)質(zhì)量好，比較穩(wěn)定，而且連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單（主要是做好電源濾波，通常使用一個(gè)電容和電感(或磁珠)構(gòu)成的PI型濾波網(wǎng)絡(luò)，輸出端用一個(gè)小阻值的電阻接成RC即可），不需要復(fù)雜的配置電路。

Product Number	愛(ài)普生晶振型號(hào)	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G005591006200	SG-8018CE	14.430000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006300	SG-8018CE	8.439025 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006400	SG-8018CE	29.491200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006500	SG-8018CE	22.222200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591006600	SG-8018CE	19.660800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006700	SG-8018CE	6.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006800	SG-8018CE	7.680000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591006900	SG-8018CE	74.250000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007000	SG-8018CE	88.888000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591007100	SG-8018CE	88.888000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.9 mA
X1G005591007200	SG-8018CE	12.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007300	SG-8018CE	148.500000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005591007400	SG-8018CE	74.250000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007500	SG-8018CE	57.272720 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591007600	SG-8018CE	37.125000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591007700	SG-8018CE	19.200000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007800	SG-8018CE	6.005284 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591007900	SG-8018CE	57.209760 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G005591008000	SG-8018CE	10.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G005591008100	SG-8018CE	133.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G005591008200	SG-8018CE	32.400000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008300	SG-8018CE	22.579200 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008400	SG-8018CE	44.236800 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G005591008500	SG-8018CE	1.000000 MHz	3.20 x 2.50 x 1.20 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

有源晶體EMI需注意三點(diǎn)事項(xiàng)
1.需要倍頻的主控IC應(yīng)用系統(tǒng)需要配置好PLL周邊配置電路，設(shè)計(jì)好隔離和濾波如果能有效使用SSC技術(shù)對(duì)EMI有很好的效果； 
2.20MHz以下的晶體晶振基本上都是基頻的器件，穩(wěn)定度好，20MHz以上的大多是諧波的（如3次諧波、5次諧波等等），穩(wěn)定度差，因此強(qiáng)烈建議使用低頻的貼片有源晶振器件，畢竟倍頻用的PLL電路需要的周邊配置主要是電容、電阻、電感，其穩(wěn)定度和價(jià)格方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于晶體晶振器件； 
3.時(shí)鐘信號(hào)走線長(zhǎng)度盡可能短，線寬盡可能大，與其它印制線間距盡可能大，緊靠器件布局布線，必要時(shí)可以走內(nèi)層，以及用地線包圍（屏蔽的思路）；  愛(ài)普生的有源晶體EMI需注意事項(xiàng)X1G005591008000