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首頁(yè)歐美晶振VECTRON晶振,VC-801晶振,普通有源晶振

VECTRON晶振,VC-801晶振,普通有源晶振

編號(hào)：4623863
頻率：32.768kHz~125.000MHz
尺寸：5.0*3.2*1.4mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕...

　 VECTRON晶振,VC-801晶振,普通有源晶振.貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求

　石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使進(jìn)口晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

　 Vectron國(guó)際公司既是一個(gè)產(chǎn)品制造商,也是一個(gè)解決方案提供商,以其獨(dú)特的技術(shù)領(lǐng)先,但總是準(zhǔn)備設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)定制解決方案,在那里需要.美國(guó)威克創(chuàng)抯核心競(jìng)爭(zhēng)力結(jié)合了經(jīng)典的水晶,看到技術(shù)和復(fù)雜的集成電路和先進(jìn)的包裝.除了這些偉大的創(chuàng)新能力之外,Vectron維管石英晶振還致力于非常靈活和專注于服務(wù),快速和專業(yè)地幫助客戶創(chuàng)新、改進(jìn)和發(fā)展他們的業(yè)務(wù).

晶振項(xiàng)目	符號(hào)	產(chǎn)品規(guī)格
標(biāo)稱頻率	f_nom	32.768kHz~125.000MHz
頻率穩(wěn)定度	ppm	±20ppm
輸出條件		CMOS
電源電壓	Vcc	+1.8V，+2.5V，+3.3V，+5.0V
負(fù)載電容	CL	15pF
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.
絕對(duì)最大驅(qū)動(dòng)電平	DLmax.	0.5μW Max.
驅(qū)動(dòng)電平	DL	0.1μW typ.
并聯(lián)電容	C ₀	1.0pF typ.
頻率老齡化	f_age	±3x 10^-6/Year
工作溫度	T_use	-55℃~+125℃
儲(chǔ)藏溫度	T_stg	−55℃~+125℃

負(fù)極電阻

除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則有源晶振或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)

負(fù)載電容

振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).

晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊

所有石英晶體壓控控制振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供.

噪音

在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.

電源線路

電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低

輸出負(fù)載

建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近高精度晶振的地方(在20mm范圍之間).

未用輸入終端的處理

未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作.同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC或GND.

激勵(lì)功率

在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英低功耗晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率(請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容).

Vectron晶振所有的經(jīng)營(yíng)組織都將積極應(yīng)用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)以及適用的法律法規(guī).為促進(jìn)合理有效的公共政策的制訂實(shí)施加強(qiáng)戰(zhàn)略聯(lián)系.Vectron晶振集團(tuán)將:不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防.為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架.通過充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持.

Vectron晶振集團(tuán)將確保其進(jìn)口SPXO晶振產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng). 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求.

Vectron集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少?gòu)U物產(chǎn)生和排放.我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時(shí),努力改進(jìn)我們的操作.我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng),提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意.

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