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ILSI晶振,IL3T晶振,壓電石英晶體

編號：25047052
頻率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.2*0.6mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產品本身具備優良的耐熱性,耐環境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發揮優良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度...

　 ILSI晶振,IL3T晶振,壓電石英晶體,小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應32.768K以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

　　石英晶振的切割設計:用不同角度對晶振的石英晶棒進行切割,可獲得不同特性的石英晶片,通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標軸某種方位(角度)的切割稱為石英晶片的切型.不同切型的石英晶片,因其彈性性質,壓電性質,溫度性質不同,其電特性也各異,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切.其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等

　　ILSI進口晶振總部位于內華達州里諾,在加利福尼亞州南部設有辦事處,該公司被認為是靈活而響應迅速的提供交鑰匙供應鏈管理解決方案,編程的組織服務和工程支持.

ILSI晶振	單位	IL3T晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	100μW Max.	推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差	f_— l	±20ppm	+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息, http://www.theqj.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±50× 10^-6 /-30°C～+85°C	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	12.5pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

裝載

SMD晶體產品支持自動貼裝,但還是請預先基于所使用的搭載機實施搭載測試,確認其對特性沒有影響.在切斷工序等會導致基板發生翹曲的工序中,請注意避免翹曲影響到安防晶振產品的特性以及軟焊.基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得貼片石英晶體產品(諧振器、振蕩器、濾波器)內部傳播過大的振動,有可能導致特性老化以及引起不振蕩,因此不推薦使用.

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容).

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致有源晶體無法產生振蕩和/或非正常工作.低功耗晶振的軟焊溫度條件被設計成可以和普通電子零部件同時作業,但如果是超過規格以上的高溫,則頻率有可能發生較大的變化,因此請避免不必要的高溫度.智能手環晶振產品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產品的回流焊焊接溫度描述”.

撞擊

雖然石英晶體諧振器產品在設計階段已經考慮到其耐撞擊性,但如果掉到地板上或者受到過度的撞擊,以防萬一還是要檢查特性后再使用.

保管

保管在高溫多濕的場所可能會導致端子軟焊性的老化.請在沒有直射陽光,不發生結露的場所保管.

ILSI晶振所有的經營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規.為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰略聯系.消除事故和環境方面的偶發事件,減少廢物的產生和排放,有效的使用能源和各種自然資源,對緊急事件做好充分準備,以便及時做出反應.

ILSI集團將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產生和排放.我們將在關注于預防環境和安全事故,保護公眾健康的同時,努力改進我們的操作.我公司將積極參與加強公眾環境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環境、健康和安全問題的注意. 環境政策,在其業務活動的所有領域,從開發、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、無鉛環保晶振、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,集團業務政策促進普遍信任的環境管理活動.

對我們的產品進行檢驗,同時告知我們的員工顧客以及公眾,如何安全的使用,如何使用對環境影響較小,幫助我們的雇員合同方商業伙伴服務提供上理解他們的行為如何影響著環境.公司的各項能源、資源消耗指標和排放指標達到國內領先、國際先進水平.

ILSI晶振集團實施創新戰略,提高自主創新能力,確保公司可持續發展.實施節約戰略,提高建設節約環保型企業能力,確保實現節能環保規劃目標.

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